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特点： ＰｈｏｔｏＭＯＳ的高功能保持不变，可进行功率控制的输出接口用Photo MOS
封装： SIL4
端子形状： Through Hole
包装方式： Tube packing
连续负载电流： 3A
负载电压： 60 V
导通电阻(平均)： 0.11 ohm
输出端子间容量(平均)： 1400 pF
国外标准： UL, C-UL
触点结构： 1a
耐电压： 2500V AC
导通电阻： 0.18 ohm
开路状态漏电流： 10μA
允许LED电流： 50mA
LED反向电压： 5V
正向电流： 1A
部允许损耗： 75mW
动作LED电流(平均)： 1mA
动作LED电流： 3mA
复位LED电流： 0.4mA
复位LED电流(平均)： 0.9mA
LED压降： 1.5V
动作时间(平均)： 2.46ms
复位时间(平均)： 0.22ms
全部允许损耗： 1.6W
使用环境温度： -40℃～+85℃
保存温度： -40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)： 0.8pF
输入/输出间端子容量： 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小)： 1000 M ohm
动作条件(输入LED电流)： 5-10mA
