150度FLASH存储器 150度高温存储器 我司目前仅有25LC系列，H 150度温度级别小容量64K bit现货，数量不多欢迎选购。另外其同系列，256k bit 25LC640A 25LC256如有兴趣，欢迎致电本司。 同步动态存储器 (SDRAM)：同步动态存储器（简称为SDRAMs）以高达 200 MHz的时钟频率与总线频率同步运行。它们的存储容量从 16 兆比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit)，在 比特 (bit) 总线带宽下可用。典型工作电压： 33伏。 封装： BGA（球形网格阵列）或TSOP（薄型小尺寸封装）。 高温存储器150度 北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器，此款存储器存储容量256kb，温度可到175度，很多客户采用串联方式使用，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！ 引导存储器：在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，设计工程师可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。例如，如果没有外部的寻址总线或串行引导接口，通常使用内部存储器，而不需要专门的引导器件。但在一些没有内部程序存储器的系统中，初始化是操作代码的一部分，因此所有代码都将驻留在同一个外部程序存储器中。某些微控制器既有内部存储器也有外部寻址总线，在这种情况下，引导代码将驻留在内部存储器中，而操作代码在外部存储器中。这很可能是最安全的方法，因为改变操作代码时不会出现意外地修改引导代码。在所有情况下，引导存储器都必须是非易失性存储器。 150度高温存储器FLASH 我司供应如下高温产品： 150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。 双倍数据速率2 存储器 (DDR2)双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 一直以球形网格阵列 (BGA)封装方式供应。他们具有 3 纳秒，甚至 25纳 秒的低循环次数 (Cycle time) ，因此可达到 800 兆赫 (MHz) 的数据速率。反过来，与最初的双倍数据速率存储器相比，他们具有较长的等待时间 (Latency) 。不过，双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 速度明显快于 双倍数据速率 1 存储器。4/8 和 16 比特 (bit) 总线带宽情况下，他们的存储容量范围从 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。