150度存储器FLASH 我司供应如下高温产品： 150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。 内储存器（内存）： 内储存器直接与CPU相连接，储存容量较小，但速度快，用来存放当前运行程序的指令和数据，并直接与CPU交换信息。内储存器由许多储存单元组成，每个单元能存放一个二进制数或一条由二进制编码表示的指令。内储存器是由随机储存器和只读储存器构成的． 150度高温存储器FLASH 我司供应如下高温产品： 150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。 双倍数据速率2 存储器 (DDR2)双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 一直以球形网格阵列 (BGA)封装方式供应。他们具有 3 纳秒，甚至 25纳 秒的低循环次数 (Cycle time) ，因此可达到 800 兆赫 (MHz) 的数据速率。反过来，与最初的双倍数据速率存储器相比，他们具有较长的等待时间 (Latency) 。不过，双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 速度明显快于 双倍数据速率 1 存储器。4/8 和 16 比特 (bit) 总线带宽情况下，他们的存储容量范围从 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。 150度高温EEPROM存储器 我司供应如下高温产品： 150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。 测试策略：三个独立的测试：数据总线的测试、地址总线的测试以及设备的测试。前面两个测试针对电子连线的问题以及芯片的不正确插入；第三个测试更倾向于检测芯片的有无以及灾难性失效。作为一个意外的结果，设备的测试也可以发现控制总线的问题，尽管它不能提供关于问题来源的有用信息。执行这三个测试的顺序是重要的。正确的顺序是：首先进行数据总线测试，接着是地址总线测试，最后是设备测试。那是因为地址总线测试假设数据总线在正常工作，除非数据总线和地址总线已知是正常的，否则设备测试便毫无意义。如果任何测试失败，你都应该和一个硬件工程师一起确定问题的来源。通过查看测试失败处的数据值或者地址，应该能够迅速地找出电路板上的问题。