主要技术性能
电容偏差:±10%,各相等分组电容的大值与小值之比不大于1.1.
介质损耗角正切值tanδ (全膜介质)在额定电压Un,20℃时:
A. Un≤1kV: tanδ≤0.0015。
B. Un >1kV:tanδ≤0.0012。
绝缘强度
端子与外壳间能承受1kV工频试验电压1min。
冷却水进水温度不超过30℃。
A. Qn≤1000kvar的电容器,水流量≥4L/min.
B. Qn≥1000kvar的电容器,水流量≥6L/min.
长期运行过电压(24h中不超过4h)不超过1.1Un。
长期运行过电流(包括谐波电流)不超过1.35In。