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CJAC200SN04U低RDS局部放电充器变换器

  • 发布时间：2024-04-16 15:19:15,加入时间:2023年10月26日(距今200天)
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描述 N 通道增强型功率场效应晶体管采用 SGT 技术。这种先进的技术特别适用于最小化通态电阻，提供优越的开关性能，以及在雪崩和换向模式下抵抗高能脉冲。这些器件非常适合于高效率的快速切换应用超低 RDS (上)优越的热阻优异的可靠性和均匀性电机驱动器 BMS

参数

排泄源电压 VDS 40

VGate-Source 电压 VGS ± 20 V

连续排泄电流 ID200脉冲排泄电流 IDM600单脉冲雪崩能量 EAS760mJ

CJAC200SN04U低RDS局部放电充器变换器

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