Heraeus代贺利氏单体Clevios MV2

  • 发布时间:2024-03-29 14:05:19,加入时间:2019年09月06日(距今1696天)
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20多年来,市场对于低等效串联电阻(ESR)的需求推动钽电容器和铝电容器应用不断发展。传统的电解电容器已经无法满足主板等现代电子电路的要求。

借助Clevios™导电聚合物,电容器生产商便能抓住低ESR的市场机遇。如今,凭借优异的导电性和温度稳定性,这种导电聚合物聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(亦称为PEDOT)在电容器行业被广泛用于制造聚合物钽电容器和铝电容器。

然而,聚合物电容器仅适用于消费电子产品,这主要是因为此类电容器不具备高电压能力,并且可靠性较低、直流漏电流值(DCL)相对较高。

贺利氏开发的Clevios K™聚合物分散体成功克服了聚合物电容器的这些局限性。现在,终于可以生产具备高电压、低DCL和高可靠性的聚合物电容器了。同时,这种聚合物电容器额定电压的上限已从25 V提升到400 V。结合较低的DCL值,全新的聚合物电容器已经可以用于汽车等对可靠性要求较高的应用。如今,聚合物电容器甚至进入航空航天领域,这在此前是无法想象的。凭借低ESR和高纹波电流能力,通过较小的电容器,或者使用一个聚合物电容器来替换大量的大尺寸电解电容器,便能有效缩小电子电路的尺寸。

这项赋予电容器高电压、低DCL和高可靠性的技术是通过贺利氏专为电容器应用而开发的新型导电聚合物来实现的。导电聚合物在聚合物电容器中充当阴极材料:首先对多孔铝电极或钽电极进行阳极氧化处理,形成电介质层,然后再沉积导电聚合物薄膜。而在此之前的很长一段时间,必须使用化学原位聚合法才能得到这种导电聚合物阴极薄膜:将导电聚合物的前驱体——单体(Clevios™ M V2)和氧化物(Clevios™ C)——导入多孔电容器主体中,在电容器内部通过化学反应形成阴极。有了Clevios K™导电聚合物分散体,导电聚合物无需任何化学原位反应便能直接沉积。因此,这不仅提高了电容器的性能和可靠性,同时还能显著简化电容器的生产工艺。

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