Powerex 碳化硅 MOSFET 模块设计用于高频应用。每个模块由六个 MOSFET 碳化硅晶体管组成。所有组件和互连都与散热基板隔离 提供简化的系统组装和热管理。
POWEREX全碳化硅模块QJE1210SB1 POWEREX QJE1210SB1 性能特点
接点温度：175°C
良好的Rds(on)
高速开关
低开关损耗
低电容
低驱动要求
高功率密度
隔离底板
氮化铝隔离
Wolfspeed 第三代芯片
大带隙能量和高场击穿是碳化硅 (SiC) 的两个主要特性 碳化硅 (SiC) 已被用于创建具有零反向恢复电荷、降低开关损耗和更高温度工作机会的新一代功率半导体。
Powerex 将供应商的 SiC MOSFET 和肖特基势垒二极管封装到高性能全 SiC 模块中 或与高频硅 IGBT 封装到混合 Si/SiC 模块中。新的薄型分离式双封装具有低电感和适用于高热循环应用的铜或 AlSiC 基板。
POWEREX全碳化硅模块QJE1210SB1 POWEREX QJE1210SB1 技术参数
