GDDR7 Memory Test System

  • 发布时间:2024-05-16 09:36:21,加入时间:2024年02月28日(距今246天)
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GDDR7 Memory Test System

M5512 GDDR7 Memory Test System

ATE-on-Bench for GDDR7 Characterization and Test

BENEFITS

Fastest time to market: perform deep memory read/write operations and characterize electrical and timing specifications

Most capable PAM3 signaling: leveraging years of expertise in SerDes technology, the PAM3 pin-electronics exceed the requirements of the GDDR7 specifications

Automated: scripting capability ideal for debug tasks, verification, and full‐fledged production screening of devices and system boards

M5512 GDDR7内存测试系统

用于GDDR7表征和测试的台架ATE

利益

最快上市时间:执行深度内存读/写操作,并确定电气和时序规格

最强大的PAM3信号:利用SerDes技术多年的专业知识,PAM3引脚电子器件超过了GDDR7规范的要求

自动化:脚本功能非常适合调试任务、验证以及设备和系统板的全面生产筛选

GDDR7 Memory Test System

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