ET-场效应晶体管datasheet-PDF
制造商产品编号: CS7N70_ARD CS7N70ARD-TO262
硅N沟道功率MOSFET 700V 7A 100W 1.5Ω
系列: MOSFET
沟道: N 耗散功率 (Pd): 100 漏源反向电压 (Uds): 700 栅源反向电压 (Ugs): 30
漏极电流(连续) (Id): 7 结温 (Tj), °C: 150 上升时间 (tr): 19 输出电容 (Cd), pF: 84
通态电阻 (Rds), Ohm: 1.8 封装形式: TO262
特征：
l快速切换
升ESD性能改进
l低栅极电荷（典型数据：21nC）
l低反向传输电容（典型值：4.5pF）
L 100％单脉冲雪崩能量测试
应用：
适配器和充电器的电源开关电路。
