硅N沟道功率MOSFET
CS9N90FA9D-TO220F 硅N沟道功率MOSFET
CS9N90FA9D-TO220F VDSS:900V ID:9A PD(TC=25℃): 60W RDS(ON)Typ: 0.9Ω
CS9N90FA9D-TO220F VGS=10V,ID=4.5A
概述：
CS9N90F A9HD硅N沟道增强
VDMOSFETs，通过自对准的平面技术获得
这降低导电损耗，提高开关
性能和增强雪崩能量。晶体管
可以在系统中的各种功率开关电路被用于
小型化和更高的效率。包装形式
TO-220F，与RoHS标准一致。
VDMOSFETs，通过自对准的平面技术获得
这降低导电损耗，提高开关
性能和增强雪崩能量。晶体管
可以在系统中的各种功率开关电路被用于
小型化和更高的效率。包装形式
TO-220F，与RoHS标准一致。
特征：
l快速切换
升ESD性能改进
l低栅极电荷（典型数据：62nC）
l低反向传输电容（典型值：18pF之）
L 100％单脉冲雪崩能量测试
升ESD性能改进
l低栅极电荷（典型数据：62nC）
l低反向传输电容（典型值：18pF之）
L 100％单脉冲雪崩能量测试
应用：
PC电源的电源开关电路
PC电源的电源开关电路
