大功率晶体管图示仪

  • 发布时间:2022-04-06 13:27:18,加入时间:2016年05月09日(距今3280天)
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系统特征:

IV曲线显示/局部放大                           

程序保护电流/电压,以防损坏         

品种繁多的曲线

可编程的数据点对应                    

增加线性或对数

可编程延迟时间可减少器件发热           

保存和重新导入入口程序

保存和导入之前捕获图象                 

曲线数据直接导入到EXCEL

曲线程序和数据自动存入EXCEL            

测试范围广(19大类、27分类)

曲线测试:

ID vs. VDS at range of VGS             

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD                             

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS             

IDSS vs. VDS  /  HFE vs. IC                            

BVCE(O,S,R,V) vs. IC

BVEBO vs. IE                          

BVCBO vs. IC

VCE(SAT) vs. IC             

VBE(SAT) vs. IC

VBE(ON) vs. IC (use VBE test)      

VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF

测试范围:

二极管  /   DIODE

晶体管  /   NPN型/PNP型

J型场效应管 /  J-FET

MOS场效应管 /  MOS-FET

双向可控硅 /  TRIAC

可控硅 /  SCR

绝缘栅双极大功率晶体管 /  IGBT

硅触发可控硅 /  STS

达林顿阵列 /  DARLINTON

光电耦合 /  OPTO-COUPLER

继电器 /  RELAY

稳压、齐纳二极管 /  ZENER

三端稳压器 /  REGULATOR

光电开关 /  OPTO-SWITCH

测试参数:

漏电参数:IR、  ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、     

              ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、

              IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

击穿参数:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  

              BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、

              BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO 

增益参数:hFE、CTR、gFS

导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、

              VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、

              VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)

              Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGT、VGT

保持参数:IH、IH+、IH-

锁定参数:IL、IL+、IL-

混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

间接参数:IL

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