温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）
孙先生 QQ 或加
X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;
X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；
X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值
老化速率: NPO:1%;
X7R:2.5% 一个decade时间
贴片电容的应用范围
高压贴片电容应用在电源110V或220VAC阻容降压（可以代替插件CBB电容）
630V 0.1UF 1210封装 X7R材质
630V 0.15UF 1210封装 X7R材质
450V 0.22UF 1210封装 X7T材质
250V 224 1812封装
250V 334 1812封装
250V 474 1812封装
250V 684 1812封装
250V 105 1812封装
500V 224 1812封装
400V 474K 1812封装 X7R
400V 334K 1812封装X7R
450V 474 1812封装 X7T
450V 105 2220封装 X7T
450V 334K 1812封装 X7T
以上都为X7R或X7T材质，精度为10%耐125度高温
高压贴片电容的特性：
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3.极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ或500/CΩ取两者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5%一个decade时间
介质电耐电压：100V≤V＜500V :200%
额定电压500V≤V＜1000V :150%额定电压1000v≤V :120%额定电压
