仙童IGBT单管FGH40T65SPD_F155双极型绝缘效应管，其开关频率在20KHZ~30KHZ之间。但它可以经过大电流(100A以上)，并且因为外封装引脚间距大，爬电间隔大，能抵挡情况高压的影响，平安牢靠。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
仙童IGBT单管FGH40T65SPD_F155现货技术参数价格资料
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 10 A
Pd-功率耗散: 34 W
封装 / 箱体: SPMAA-A26
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
安装风格: Through Hole
工厂包装数量: 72
单位重量: 16.712 g
由于IGBT为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
