MRF175GV /MRF175GU/MRF175LU 同系列型号电压相同，封装形式相同 代理商常备现货是主要差别在于 功率 频率。MRF175LU的价格最实惠 在50个美金左右，MRF175GV /MRF175GU则均在单片100美金以上
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MRF175GV The RF MOSFET Line W, 500MHz, 28V
MRF175GU The RF MOSFET Line W, 500MHz, 28V
MRF175LU The RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V
TMOS
TMOS
Designed for broadband commercial and military applications using push pull circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband performance of these devices makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.
专为宽带商业和军事应用，使用推拉电路在频率为500兆赫。这些设备的高功率，高增益和宽带性能，使可能的固态发射机的调频广播或电视频道的频带。
一 MRF175GV的特征
N–Channel Enhancement Mode MOSFET
N沟道增强型MOSFET–
Low Crss — 20 pF typ @ VDS = 28 V
低反馈电容20 pF值@ VDS = 28 V
Low Thermal Resistance
低热阻
100% Ruggedness Test at Rate Output Power
100%耐用性测试率的输出功率
Guaranteed Performance: MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (“V” Suffix),Output power — 200 W, Power Gain — 14 dB (Typ.), Efficiency — 65% (Typ.)typ
性能保证：MRF175GV @ 28 V，225兆赫（“V”后缀），输出功率200 W，功率增益14 dB（典型值），效率65%（典型值）的典型值
Applications
应用
Aerospace and Defense
航空航天和国防
ISM
ISM
二MRF175GV的规格
Min Frequency: 5 MHz
最小频率：5兆赫
Gain: 14 dB
增益：14分贝
Bias Voltage: 28 V
偏置电压：28伏
Efficiency: 65 %
效率：65%
Pout: 200 W
撅嘴：200 W
Max Frequency: 225 MHz
频率：225兆赫
三 MRF175GU的特征
Features
Guaranteed Performance: Output Power — 200 W, Power Gain — 14 dB (Typ.) Efficiency — 65% (Typ.)
100% RuggednessTested at a Rated output Power
MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (“V” Suffix)
Low Crss — 20 pF typ @ VDS = 28 V
Low Thermal Resistance
Applications
Aerospace and Defense
MRF175GU的规格
四MRF175GU的Specifications
规格
Min Frequency: 5 MHz
最小频率：5兆赫
Gain: 12 dB
增益：12分贝
Bias Voltage: 28 V
偏置电压：28伏
Efficiency: 55 %
效率：55%
Pout: 150 W
撅嘴：150 W
Max Frequency: 400 MHz
频率：400兆赫
五MRF175LU的特征
Features
特征
N-Channel Enhancement Mode Device
N沟道增强型装置
Guaranteed Performance: MRF175LU @ 28 V, 400 MHz (“U” Suffix), Output power — 100 W, Power gain — 10 dB (Typ.), Efficiency — 55% (Typ.)
性能保证：mrf175lu @ 28 V，400兆赫（“U”后缀），输出功率100 W，功率增益10 dB（典型值），效率55%（典型值）
Low Crss — 20 pF Typ @ VDS = 28 V
低反馈电容20 pF值@ VDS = 28 V
Low Thermal Resistance
低热阻
100% Rruggedness Tested at Rated Output Power
100% rruggedness测试在额定输出功率
Applications
应用
Aerospace and Defense
航空航天和国防
ISM
ISM
六MRF175LU的规格
Specifications
规格
Min Frequency: 5 MHz
最小频率：5兆赫
Gain: 10 dB
增益：10分贝
Bias Voltage: 28 V
偏置电压：28伏
Efficiency: 55 %
效率：55%
Pout: 100 W
撅嘴：100 W
Max Frequency: 400 MHz
频率：400兆赫
