99.9999%锑化铟 1312-41-0

锑化铟（InSb）单晶

1，工艺：提拉法生长锑化铟单晶；

2，纯度：6N(99.9999%) ；

3，检验： GDMS（所有的杂质元素总和低于1ppm）；XRD；电阻测试； 

3，规格：单晶棒，圆片，晶圆，厚度可做到0.3mm;

4，掺杂：碲或锗；

5，服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料应用解决方案；提供免费样品；

       提供电子迁移率，载流子浓度等检测报告；

6，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；