90 W 射频功率GaN HEMT 国宇航芯常备现货 产品单价较贵 如果有价格货期的问题 随时联系国宇航芯黄小姐
Cree的是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶 体管（HEMT）。采用28伏电轨工作，是一个通用的宽频 解决方案，适用于各种射频和微波应用。GaN HEMT具有高能效、高增 益和宽频带功能，这让成为线性和压缩放大器电路的理想 选择。该晶体管采用4引脚法兰封装。
典型性能
• 工作频率：2.5 GHz
• 2.0 GHz下小信号增益：16 dB
• PSAT典型值：100 W
• PSAT条件下的光效：55 %
• 工作电压：28 V
深圳市国宇航芯科技有限公司
项目销售工程师 黄云艳
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