75 W、2.7 - 3.5 GHz GaN MMIC 功率放大器
是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。与硅或砷化镓相比，GaN 具有更出色的性能，包括 更高的击穿电压、更饱和的电子漂移速度和更高的热传导性。与硅和砷化镓晶体管 相比，GaN HEMT 还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包含两级反应 性匹配放大器设计方法，可实现非常宽的带宽。该单片微波集成电路 (MMIC) 可 在小规格螺旋下降式封装中实现极高的带宽。
深圳市国宇航芯科技有限公司
项目销售工程师 黄云艳
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的产品特点
• 27 dB 小信号增益
• PSAT 典型值：80 W
• 28 V 工作电压
• 高击穿电压 • 高温工作
• 0.5" x 0.5" 总产品尺寸
的应用
民用和军用脉冲雷达放大器
