海飞乐技术销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管、IGBT。
在电子领域中，二极管是最常用的基础电子元器件之一。PN结二极管和肖特基二极管是主要的两类传统整流二极管，其中PN结二极管开启电压较大，但稳定性好，能工作于高电压，是少数载流子器件且漏电流较小，但是由于少子存储效应使得器件关断时间较长，关断损耗较大。
肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的，所以正向开启电压较小。由于是多数载流子导电，所以正向电流较大，但反向漏电流也较大。同时肖特基二极管没有少子存储效应，所以关断损耗极小，可以应用于高频情况。
目前，国内外已经提出了各种性能更好的二极管，如槽栅MOS势垒二极管TMBS,超势垒整流器SBR，结势垒控制整流器JBS，混合PIN/Schottky整流器MPS，发射极短路二极管ESD等器件。
快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比，因此，提高快恢复速度的最直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命，减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多，金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命，如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等，均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时，压降增加，漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大，不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中最经典的方法是扩金、扩铂。
快恢复二极管的性能特点：
高频化的电力电子电路不仅要求快速恢复二极管的反向恢复特性较好，即正向瞬态压降小，恢复时间短更要求反向恢复特性也较好，即反向恢复时间短，反向恢复电荷少，并具有软恢复特性，具体归纳为：
(1)反向恢复时间trr要短，以加快器件的开关速度，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率；
(2)反向恢复峰值电流IRM要小，防止开关器件因通过大电流而烧毁；
(3)反向恢复软度因子S要大，以减小器件反向恢复过程中的电压过冲和电压振荡，提高器件工作的稳定性和可靠性；
(4)反向漏电流IR要小，以减小器件在关断状态下的功率损耗；
(5)正向通态压降VF要小，以减小器件在导通状态下的功率损耗。以达到这些要求为基本目标。
DSEP2x61-03A优势：
雪崩额定电压可靠
软反向恢复低
EMI
- 功率二极管内损耗
- 导通损耗的换向开关
超声波清洗机和焊接机
快恢复二极管DSEP2x61-03A现货规格参数
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS
安装风格: SMD
封装 / 箱体: SOT-227B
Vr - 反向电压 : 300 V
If - 正向电流: 60 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
浪涌电流: 600 A
Ir - 反向电流 : 650 uA
恢复时间: 30 ns
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
系列: DSEP2x61-03
封装: Tube
商标: IXYS
高度: 9.6 mm (Max)
长度: 38.2 mm (Max)
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
宽度: 25.07 mm (Max)
单位重量: 38 g
开通特性
二极管的开通有一个过程，开通初期出现较高的瞬态压降，经过一段时间后才能处于稳定状态，具有较小的管压降。也就是说，二极管开通初期具有明显的“电感效应”，不能立即相应正向电流的变化。
开通时二极管呈现的电感效应，除了器件内部机理的原因之外，还与引线长度、器件封装采用的磁性材料等因素有关。电感效应对电流的变化率最敏感，因此开通时二极管电流的上升率diF/dt越大，峰值电压VFp就越高，正向恢复时间也越长。
关断特性
所有的PN结二极管，在传导正向电流时，都将以少子的形式储存电荷。少子注入是电导调制的机理，它导致正向压降VF的降低，这对PN结二极管的工作是有利的。但是当正在导通的二极管突然加一个反向电压时，由于导通时在PN结区有大最少数载流子存贮起来，故到截止时要把这些少数载流子完全抽出或是中和掉是需要一定时间的，即反向阻断能力的恢复需要经过一段时间，这个过程就是反向恢复过程，发生这一过程所用的时间定义为反向恢复时间trr。
DSEP2x61-03A应用：
快恢复二极管(FRD)DSEP2x61-03A广泛应用于不间断电源、开关电源、交流电机的变频调速器、脉宽调制器(PWM)等电路中作高频、高压、大电流整流、续流二极管用。
