PN8370产品描述：
PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）
小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的RCS电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8370产品特点：
内置650V高雪崩能力智能功率MOSFETyle="white-space:pre">
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）yle="white-space:pre">
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准yle="white-space:pre">
全电压输入范围±5%的CC/CV精度yle="white-space:pre"> 封装/订购信息
原边反馈可省光耦和TL431yle="white-space:pre">
恒压、恒流、输出线补偿外部可调yle="white-space:pre">
无需额外补偿电容yle="white-space:pre">
无音频噪声yle="white-space:pre">
智能保护功能yle="white-space:pre">
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)yle="white-space:pre">
CS开/短路保护 (CS O/SP）yle="white-space:pre">
开环保护 (OLP)yle="white-space:pre">
