ENJ2005-B半导体分立器件测试系统系列

  • 发布时间:2019-08-14 08:52:23,加入时间:2015年03月28日(距今3765天)
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系统概述:

设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补

偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。

面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。

系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。

系统特征:

测试范围广(19大类,27分类)

升级扩展性强,通过选件可提高电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A

采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS

被测器件引腿接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏

真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际值偏差很大)

系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障

二极管极性自动判别功能,无需人工操作

测试参数:

漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO

增益参数:hFE、CTR、gFS、

导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

关断参数:VGSOFF      

触发参数:IGT、VGT

保持参数:IH、IH+、IH-

锁定参数:IL、IL+、IL-

基础配置:

技术参数

ENJ2005-B型

主极电压

10mV-2000V

主极电流

100nA-50A

扩展电流

100A、200A、400A、500A

电压分辨率

1mV

电流分辨率

100nA

测试精度

0.5%+2LSB

测试速度

0.5mS/参数

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