在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。
Niepce的发明100多年后，即第二次世界大战期间才第一应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。
所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
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液晶面板(TFT)正型光刻胶 触摸屏（Touch Panl）正型光刻胶 超黑矩阵(BM)黑胶 OC光刻胶 卷对卷（Roll to Roll）工艺光刻胶 柔性性路板光刻胶 FPC工艺用正胶 倒装(Bumping)工艺光刻胶：适用于电镀铜(ECP)工艺 凸点下金属（UBM）工艺；重布线层（RDL）工艺；影像感测器封装(Copper/Au Piller bump)工艺光 LED行业：台阶刻蚀（MESA）工艺正胶 蒸镀（Lift-off）工艺负胶 透明电极（TCL）工艺正胶 电流阻挡层（BCL）工艺正胶 钝化层（PV）工艺正胶 高压芯芯片（HV）工艺正胶。 手机盖板行业：3D喷涂曝光型光阻油墨（黑白色） 喷涂曝光纹理光阻油墨 喷涂曝光抗氢氟酸光阻油墨 水性防爆胶 喷涂防爆膜 变色光阻油墨； 铜制程工艺：铜制程表面处理剂 铜腐蚀液 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去胶液 其它配套试剂：高纯低杂质显影液 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去胶液, 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去腊液 洗边剂(EBR) 不伤铝二氧化硅腐蚀液(BOE) 光刻胶稀释剂 氧化铟锡(ITO)腐蚀液 SiO2抛光液 钻石抛光液 SiO2抛光清洗剂（不伤铝）； 其它配件：MOCVD外延设备配件（石英配件 钨钼配件 加热器 周边设备配套）；刻蚀机和蒸发台等设备配件； 生产制程辅助工具和材料：Tray盘 花篮 膜 针等
