(晶闸管吸收保护电容器)
极低的电感
极高的脉冲可靠性
极高的额定电流承载能力
卓越的自愈能力
极高的碰撞和振动抵抗能力
优越的机械结构稳定能力
几乎是无限长的寿命
大电流，高du/dt 电压： 4000Vdc- 12000Vdc
应用范围：适用于各种规格的IGBT/IGCT 和GTO晶闸管等电力电子功率器件的缓冲吸收保护。
请致电或与技术人员联系索取详细规格书，谢谢！
DGT功率器件GTO保护电容器
产品描述
执行标准 GB/T 17702.1 idt IEC GG/T 2693 idt IEC
金属化聚丙烯膜无感卷绕而成
具有立式和卧式二种安装形式，引出端子直接连接于IGBT模块，限度减小回路电感量
具有低的ESR和高的dv/dt特性
可承受很大的峰-峰值电流IPP和高频有效值电流Irms
可提供满足各类IGBT/IGCT/GTO等电力电子功率器件所需的系列化产品
性能指标
温度范围(与工作电流有关)： -40~+85/105℃ 额定工作电压Un（可根据客户要求定制）： 700~20000Vdc·
电容量范围 （可根据客户要求定制）：0.1~5.6μF 端子间电压Utt： 1.6Un(60s)
电容量偏差△C/C： J:±5% K:±10% 端子与外壳间电压： Utc 3000Vac(50/60Hz 60s)
