现货供应1812 334 250V贴片电容
质量第一、诚信经营
高压贴片电容用于:照明电源产品，高低频无极灯电源,通讯电源交换机，LED日光灯恒流驱动电源,汽车HID灯(安定器),模块电源、医疗电源，LED阻容降压,、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、LED圣诞灯,节能灯等以及各类电子产品中.
深圳市宸远电子科技有限公司专业生产中高压贴片电容，有多年生产经验，质量可靠，价格合理，大量常用料库存。
规格主要有:
1812封装 3KV 100P 220P 330P 470P 1000P…(无极灯电源专用,代替红色CBB)
封装500-2KV 47P 101 221 471 102 222 472 103 …(各类开关电源，照明电源专用,代替蓝色插件瓷片)
封装 250V或500V 103 153 223 273 333 563…(网络通讯交换机专用,代替CL/CBB)
1812封装 250V或400V 104 224 334 474 684 105…(LED阻容降压灯电源专用,代替CBB)
1812封装50-100V－250V 474 684 105 225 475 10UF 22UF 47UF 100UF……………….(模块电源和大功率路灯专用)
更多库存与规格欢迎查询和索样~
常用规格如下：
0805 X7R 100V、250V、500V系列
0805 NPO 100V、250V、500V系列
1206 X7R 100V、250V、500V、1KV、2KV系列
1206 NPO 250V、500V、1KV、2KV系列
1210 X7R 100V、250V、500V、1KV、2KV系列
1210 NPO 250V、500V、1KV、2KV系列
1808 X7R 1KV、2KV、3KV 5KV系列
1808 NPO 2KV、3KV 5KV系列
1812 X7R 100V、250V、500V、1KV、2KV 3KV 5KV系列
1812 NPO 1KV 2KV 3KV 5KV系列
2220 X7R 50V 100V 500V 1KV 5KV
2220 NPO 50V 200V 1KV
2225系列
中高压贴片电容专家
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
高压贴片电容特性：
1.等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低，与同等钽电容或者铝电解电容相比，ESR小几十倍，能量利用率高，发热小，价格低。
2.品种，规格齐全，体积小。容量从10pF到47uF，耐压从10V-6000V，体积小可以达到1X0.5mm.
3.无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路，而且装配更为方便。
4.性能稳定，即使被击穿也不会燃烧爆炸，安全性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
低容量电容NP0材料（pF）：适用频率1-100MHz
1.温度系数：0±30ppm℃，-55℃～125℃；
2.电容量漂移：不超过±0.3％或±0.05pF（取较大者）。
3.老化特性：无
高容量电容X7R材料（6800pF以上）：适用频率不超过10KHz
1.温度特性：不超过±15％，-55℃～125℃。
2.老化特性：每10年变化1％ΔC，表现为10年变化约5％。
工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
降额设计
设计者在选用电容器工作电压时，应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为保证产品及线路的可靠性，在实际设计时建议降额使用
使用注意事项
工作温度
电容器设计类别温度范围有-55℃～125℃、-55℃～85℃两种，设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命，工作温度限制在低于上限类别温度10℃～15℃
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1812 334 250V
公司简介
1.公司基本情况简介
宸远科技有限公司成立于2007年3月，隶属独资经营之有限责任公司。登记资本额为1.26亿元人民币，公司主要经营显目为：研究开发、设计制造工业、医疗、车载及军工用mlcc芯片陶瓷电容、ltcc陶瓷基板等各类新型电子元器件、paste内外电极金属膏及整控组件及其相关产品，销售自产产品并提供相关技朮及服务。
2.竞争优势
研发与管理团队来自国外业界卓越大厂，且均为实战20年以上经验丰富的产业精英。本团队具有结合材料研发(陶瓷粉末配方、金属导电电极)以及工程技术、组装量产以及提供应用技术服务等垂直整合管理技术。
3.主要产品介绍
主要生产及研发产品项目共有：
a.mlcc多层芯片电容器；具有高频、高容、高压、高q值之特殊应用全系列电容产品，同时可搭配客户应用为客户客制化生产，能有效解决客户产品应用问题。
b.slcc单层芯片电容器；主要应用于超高频之特殊应用产品。
c.ltcc低温共烧陶瓷材料；为国内维一能自主生产并提供ltcc材料技术的公司，亦有效打破国内无处购买的僵局。
d.paste内外电极金属膏；可自主生产陶瓷共烧电极、导电接著，同时掌握贱金属关键技术，可有效控制住生产关键及成本。
4.产品开发优势（研发&产品质量能力）：：
a.具有产品设计能力–pattern/screendesign
b.配合客户所需，提供技术性服务及测试
c.样品齐全、具快速开发以及送样能力
d.产品质量水平具高水平零缺陷-arcing-free、cracking-free
e.制程设备具有全新rolltorollanddrysystem
f.自主开发新型产品能力(megacap、discoidal、planararray)
g.自行开发陶瓷粉末以及金属电极，并具有未来贱金属化之能力
h.自行开发瓷份配方以及流延(ltcc前段目前都进口)系统技术之能力
i.自行开发生产设备之能力-testing、tapping、marking
j.自行开发质量保证测试设备-10kvlifetest、burninhalt
k.产品具安规认证能力TUV、UL)、车载品(TS16949、AEC-Q200)、军工品(GJB)以及航空航天系统(AS9100)认证能力等认证能力
5.上下游垂直整合，掌握完整关键性技术
由于掌握关键性材料的技术利基，可配合市场需求，由材料研发着手，向下整合开发客户所需要的电子组件，缩短量产时效，并积极规划各项产品朝高附加价值的零件功能领域迈进，如：中高压、高精度、大尺寸之芯片电容器及结合材料核心技术，进军高频、高容和高压领域及附加价值产品。
目前公司贵金属制程及卑金属制程（bme）使用的芯片电容器介电瓷粉已陆续开发完成，加上国内高阶积层电容瓷粉原料自主供应，原料往下游整合至芯片电容器成品的延伸策略，将发挥上下垂直整合的高度营运绩效。
公司管理团队掌握贱金属制程：采用镍、铜等贱金属代替银/钯贵金属作为内电极材料，可以使生产成本大幅调低30%~50%，还能改善介质损耗。目前只有美国和日本少数厂家拥有此技术。同时具有mlcc产业高设计及产品规格广度以及订制化能力，工艺技术及采用的陶瓷粉末配方技术达到国际领先水平，将打破国外企业的技术垄断。
在军用、工业、医疗和车载用mlcc市场，我们将成为唯一的有研发实力取代国外高端mlcc产品的厂家，同时在价格和服务上也更具竞争力。
