4803 SOP-8 P沟道 MOS管场效应管

  • 发布时间:2023-01-03 11:30:38,加入时间:2014年08月14日(距今3927天)
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4803mos管采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON),具有低R DS(on)V GS = -5V,5V逻辑电平控制,双P沟道SOP8封装,超过额定值的应力可能会损坏设备,额定值仅为压力等级,长期暴露于高于操作条件的应力可能影响设备可靠性。

骊微电子4803mos管该设备适合用作负载开关或PWM应用,针对电源管理进行了优化便携式产品的应用,例如H桥,变频器车载充电器及其他。

4803mos管产品特征:

•低R DS(on)V GS = -5V

•5V逻辑电平控制

•双P沟道SOP8封装

4803MOSFET管绝对额定值:

超过额定值的应力可能会损坏设备。额定值仅为压力等级。 功能操作如上不暗示的操作条件。 长期暴露于高于操作条件的应力可能影响设备可靠性。

骊微电子是一家销售:三极管、场效应MOS管、二三极管、集成IC等产品的经销批发商,经销的:场效应MOS管、二三极管、IC电子元器件品种齐全、价格合理,并提供电源领域相关软硬件设计服务,提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务,系统解决客户技术后顾之忧。

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