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N沟道增强型MOSFET TDM3436

  • 发布时间：2019-09-28 11:09:10,加入时间:2018年08月28日(距今2536天)
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描述
TDM3436采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个
器件适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
lRDS（ON）<4.1mΩ VGS = 4.5V
RDS（ON）<3.1mΩ VGS = 10V
l高功率和电流处理能力
l提供无铅产品
l表面贴装封装
应用
lPWM应用
l负载开关
l电源管理

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