N通道增强型MOSFET TDM3518

  • 发布时间:2019-09-28 11:09:24,加入时间:2018年08月28日(距今2536天)
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描述
该TDM3518采用先进的沟槽技术
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个
装置是适合用作负载开关或在PWM
应用。
一般特征
lRDS(ON)<3.1mΩ VGS = 4.5V
RDS(ON)<1.8MΩ VGS =10V
l高功率和电流处理能力
l表面贴装封装
l可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用
lPWM应用
l负载开关
l电源管理
l动力系统

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