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双N沟道增强型MOSFET TDM3484

  • 发布时间：2019-09-28 11:09:36,加入时间:2018年08月28日(距今2536天)
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一般描述 一般特征
该TDM3484采用先进的沟槽技术 RDS（ON）<18.5mΩ VGS = 4.5V
提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 RDS（ON）<15MΩ VGS =10V
这个装置是适合用作负载开关或在PWM 高功率和电流处理能力
应用。 可提供无铅产品
SOP-8封装

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