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P沟道增强型MOSFET TDM3415

  • 发布时间：2019-09-28 11:09:37,加入时间:2018年08月28日(距今2536天)
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 P沟道增强型MOSFET TDM
一般描述 一般特征
该TDM3415采用先进的沟槽技术 -30VA
提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 RDS（ON）<15mΩ VGS = -4.5V
装置是适合用作负载开关或在PWM RDS（ON）<9mΩ VGS =-10V
应用。 可靠耐用
HBMESD能力水平典型值为8KV
可提供无铅产品 lSOP-8封装

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