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N沟道增强型MOSFET TDM3550

  • 发布时间：2019-09-28 11:09:38,加入时间:2018年08月28日(距今2536天)
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一般描述 一般特征
该TDM3550采用先进的沟槽技术 40V/ 100A
提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 RDS（ON）<1.35mΩ VGS =10V
这个装置是适合用作负载开关或在PWM 高功率和电流处理能力
应用。 表面贴装封装
可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）

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