N沟道增强型MOSFET TDM3428B

  • 发布时间:2019-09-28 11:09:40,加入时间:2018年08月28日(距今2536天)
  • 地址:中国»广东»深圳:深圳市南山区丽山路大学城创业园桑泰大厦1003室
  • 公司:深圳市佰骏工业产品设计有限公司, 用户等级:普通会员
  • 联系:陈颖,手机:13632716299 电话:0755-82807308 QQ:313944768
一般描述 一般特征
该TDM3428B采用先进的沟槽技术 RDS(ON)<17.5mΩ VGS = 4.5V
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 RDS(ON)<10.8mΩ VGS =10V
装置是适合用作负载开关或在PWM应用 高功率和电流处理能力
应用: 可提供无铅产品
lPWM应用 表面贴装封装
l负载开关 TO-252-3
l电源管理

联系我时请说明来自志趣网,谢谢!

免责申明:志趣网所展示的信息由用户自行提供,其真实性、合法性、准确性由信息发布人负责。使用本网站的所有用户须接受并遵守法律法规。志趣网不提供任何保证,并不承担任何法律责任。 志趣网建议您交易小心谨慎。