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东莞市诺展电子仪器有限公司
主要特性
从100 kHz到GHz的第一个RF路径
从100 kHz到2.2/3GHz的可选第二RF路径
多达两个完整的基带路径
支持3GPPLTE FDD和TDD、LTE Advanced、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE演进、TD-SCDMA、WLAN和所有其他重要的数字标准
具有实时衰落的2×2 MIMO
2×4或4×2 MIMO可组合的两种仪器
具有40个衰落路径的可选衰落模拟器
具有200 MHz射频带宽的I/Q调制器
具有实时编吗器和任意波形发生器的可选基带发生器
杰出的射频性能
Key Facts
First RF path from 100 kHz tGHz
Optional second RF path from 100 kHz tGHz
Up to two complete baseband paths
Support of 3GPP LTE FDD and TDD, LTE Advanced, 3GPP FDD/HSPA/HSPA+, GSM/EDGE/EDGE Evolution, TD-SCDMA, WLAN, and all other important digital standards
2×2 MIMO with realtime fading possible
Two instruments combinable for 2×4 or 4×2 MIMO
Optional fading simulator with up to 40 fading paths
I/Q modulator with 200 MHz RF bandwidth
Optional baseband generator with realtime coder and arbitrary waveform generator
Outstanding RF performance
简要说明
R&S∈SMU200A矢量信号发生器不仅将多达两个独立的信号发生器组合在一个只有四个高度单元的机柜中，它还提供无与伦比的射频和基带特性。该发生器被设计成满足现代通信系统的研究和开发及其生产中遇到的所有要求。
由于其模块化设计，R&S®SMU200 A可以更佳地适应不同应用的要求。第一RF路径可以配备四个可用频率选项中的一个。2.2 GHz/3 GHz/4 GHz或6 GHz的上限频率是用户可选择的。
此外，可以安装具有2.2 GHz和3 GHz的上限频率的第二RF路径。所有频率选项的下限频率为100 kHz。
在基带部分也可以安装多达两个发电机。它们实时产生复杂信号，并且配备有任意波形发生器，具有多达128M的I和Q(512Mbyte)采样存储器。可以添加在不同基带中产生的信号。单个信号的频率偏移是可能的。可选的内部衰落模拟器提供多达40个衰落路径，用于模拟多
径传播。
R&S∈SMU200A可以配备有广泛的选项——例如，针对当今所有重要数字标准的选项，以及诸如MIMO衰落或相位一致性之类的功能和性能增强。现代，直观的概念的R＆S®SMU200 A确保快速和简单的操作。
双信号发生器
频率选择从100 kHz到GHz的第一RF路径
可选的第二RF路径高达2.2 GHz或3 GHz
多达两个完整的基带路径
数字域中基带信号的无损组合（例如用于测试多标准基站）
卓越信号质量
具有200 MHz射频带宽的I/Q调制器
低的SSB相位噪声。- 135 dBc（F＝1 GHz，20 kHz载波偏移，1 Hz测量带宽），TYP。-具有增强的相位噪声性能选项的139 dBC
TYP的宽带噪声。- 153 dBc（CW，F＝1 GHz，＞10 MHz载波偏移，1赫兹测量带宽）
3GPP FDD典型的高达70 dB的ACLR
非常高的重复性0.05分贝
高稳定度基准振荡器
高输出功率高达19 dBm（PEP），超范围+26 dBm
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