中小型医疗机构污水处理设备

  • 发布时间:2018-11-07 21:15:15,加入时间:2018年09月10日(距今2425天)
  • 地址:中国»山东»枣庄:山东省枣庄市薛城区永福南路御园福邸5-2-601
  • 公司:枣庄创绿环保科技有限公司, 用户等级:普通会员 已认证
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产品特点: 

设备即可设置地上也可埋于地下,模块化设计,机构紧凑,节省占地面积; 

设备集成程度高,技术成熟,投资较少; 

设备运行费用低廉; 

设备自动化程度高,操作管理维护方便; 

技术稳定可靠,出水水质稳定。 

设备适用范围: 

1.生活小区、别墅、写字楼 2.宾馆、食堂、洗浴中心 3.中小型工厂 

4.医院及中小型医疗机构 5.车站、机场、码头、商业街区 6.公园、名胜古迹等旅游风景区 7.学校、机关单位 

8.其他对场地、环境要求较高场所 

核心工艺简介 

MBR 是一种将高效膜分离技术与传统活性污泥法相结合的新型高效污水处理工艺,它用具有独特结构的浸没式膜组件置于曝气池中,经过好氧曝气和生物处理后的水,由泵通过膜过滤后抽出。它与传统污水厂除臭处理 生物除臭系统 喷雾除臭设备 专注恶臭环境治理 车间废气处理 工业有机废气处理设备 车间降温设备 废气净化器除臭系统离子除臭生物除臭除臭剂 工厂、车间、污水站、垃圾厂等。除臭设备 离子除臭设备;垃圾回收站 化学除臭法 生物除臭法 离子除臭法 生物除臭光氧离子法除臭设备 垃圾房|喷淋|商场除臭 活性炭除臭设备,生物净化设备,光电除臭设备 高能离子除臭设备、光氢离子除臭设备 管道除臭设备  气体

水处理方法具有很大区别,取代了传统生化工艺中二沉池和三级处理工艺,由于膜的存在大大提高了系统固液分离的能力,从而使 系统出水水质和容积负荷都得到大幅度提高,结合不同的工艺,出水可以达到景观用水或杂用水标准。由于膜的过滤作用,微生物被完全截留在生物反应器中,实现了水力停留时间与活性污泥泥龄的彻底分离,消除了传统活性污泥法中污泥膨胀问题。膜生物反应器具有对污染物去除效率高、硝化能力强,可同时进行硝化、反硝 化、脱氮效果好、出水水质稳定、剩余污泥产量低、设备紧凑、操作简单等优点。目前广泛应用于医疗污水的处理及回用中。

1、一种具有退位开关的并式梯度可调电容器,其特征在于:包括绝缘容器(G11)、导电液体(G31)、实体(G21)、公共电极(G51)、至少两个梯度电极(U31、U32、U33、U34)、电磁线圈(G41)、受控通路节点(O+)、受控通路第二节点(O-)、控制端节点(P+)、控制端第二节点(P-)、至少两个容抗固定的电容器(C1、C2、C3、C4);

  绝缘容器(G11)具有稳定的形状,绝缘容器(G11)的外形为圆柱状,绝缘容器(G11)的容器为圆柱状,绝缘容器(G11)的容腔不容易发生形状变化,绝缘容器(G11)为密封容器;

  导电液体(G31)承装在绝缘容器(G11)的容腔内,导电液体(G31)的体积小于绝缘容器(G11)的容积,导电液体(G31)的体积大于绝缘容器(G11)的容积的一半;

  电磁线圈(G41)固定缠绕在绝缘容器(G11)的外部,电磁线圈(G41)位于绝缘容器(G11)的等腰线以上,电磁线圈(G41)的轴线与绝缘容器(G11)的轴线相重合,电磁线圈(G41)的两端分别与控制端节点(P+)、控制端第二节点(P-)相连;

  实体(G21)的平均密度大于等于导电液体(G31)的密度,实体(G21)具有磁性或顺磁性,实体(G21)装置在绝缘容器内,实体(G21)外表面是绝缘的,实体(G21)的外部体积小于绝缘容器(G11)的容积减去导电液体(G31)的体积;

  公共电极(G51)位于绝缘容器(G11)的容腔内表面底部,公共电极(G51)与导电液体(G31)总是保持接触,公共电极(G51)与受控通路第二节点(O-)之间具有电学连接;

  线圈未通电的情况下,至少两个梯度电极(U31、U32、U33、U34)被设置在绝缘容器(G11)的容腔内,所有梯度电极(U31、U32、U33、U34)与导电液体(G31)相接触,各个梯度电极(U31、U32、U33、U34)到导电液体(G31)的液平面的距离各不相等,实体(G21)悬浮或沉底于导电液体(G31);

  每个梯度电极(U31、U32、U33、U34)与受控通路节点(O+)之间均串联有一个容抗固定的电容器(C1、C2、C3、C4);

  给电磁线圈(G41)通电,电磁线圈(G41)产生磁场(G42),电磁线圈(G41)会吸引与实体(G21)使在实体(G21)上浮,并导致实体(G21)排开导电液体(G31)的排开体积减小,进而使导电液体(G31)的液平面下降并能够脱离各个梯度电极(U31、U32、U33、U34),从而实现受控通路的节点(O+)与受控通路的第二节点(O-)之间被并联的容抗固定的电容器(C1、C2、C3、C4)的数量的变化从而改变受控通路的节点(O+)与受控通路的第二节点(O-)之间电容容量总值。

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