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RM9001DA是一款四通道恒流控制芯片，可以实现恒功率，低谐波（THD）,芯片具有智能温度保护功能（OTP），系统应用稳定，RM9001DA封装形式：ESOP8。 RM9001DB是在RM9001DA的基础上改变封装形式，目的是在多颗芯片并联的时候，可以尽可能减少外围的0R跳线电阻。RM9001DA可以应用在小功率的有谐波要求的方案上，成本较RM9001DB便宜，大功率投光灯方案建议使用RM9001DB-ESOP16方案，系统成本更低。 芯片具有功率补偿功能，可以实现高压（180V-260V），低压（90V-150V）输入电压变化时，功率保持恒定。 芯片输出电流为正弦电流波形，THD参数可以满足IECC级)要求。 芯片过温保护点（130℃），表面温度。
OUT1~OUT4随着输入电压升高，逐级开启，系统各端口的电流如下：
OUT1~OUT4随着输入电压升高，逐级开启，系统各端口的电流如下：
系统输出的平均电流等于各个端口电流值的平均叠加，Vcp的取值范围介于0.4V~4.2V，建议调整Vcp电压到1.5V左右为最优的方案参数，保证功率恒定，2号脚位（VDD）连接电容主要作用是给芯片供电具体参数为（4.7uF/16V）-最优值。3号脚位（COMP）连接电容主要作用是调整In,也就是1号脚CS取样电阻上的平均电流，具体参数为（220nF/16V）-最优值。
交流输入端FR1（保险电阻），可以根据实际客户要求，决定是否需要添加，主要目的是安规需要。
交流输入端串联的抗浪涌保护线绕电阻，如图FR2,FR3,可以明显改善抗雷击浪涌，阻值越大，效果越明显，但是电阻越大，功耗也越大。根据输入电流，以计算，选取合适阻值和功率的抗浪涌保护线绕电阻，并留适当的裕量。 大功率应用时，如果要通过更高要求的浪涌电压，可以采取使用两级压敏，如:前级使用14D471,后级使用10D471方案。 大功率投光灯方案，L N->PE也会有要求，线对壳体的耐压测试主要考验的是铝基板的耐压，对铝基板的耐压要求很高，如果要测试L N->PE，可以考虑使用高耐压的铝基板，或者考虑在壳体和铝基板之间增加导热硅胶垫。 大功率投光灯方案在抗雷击能力和传导（EMI）方面，LED及芯片的引脚铜箔面积增加会导致抗雷击和传导（EMI）数据变差，在线路板布板的时候，保证通过电流的情况下铜箔的宽度不要超过LED焊盘宽度，如下 |
