小儿脑瘫的高危因素较为复杂。凡是能引起胎儿及新生儿脑组织缺血、缺氧、中毒、发育异常等原因，均可造成脑损伤而导致脑瘫，而直接原因则为脑损伤和脑发育缺陷。那么，引起小儿脑瘫有哪些高危因素呢
引起小儿脑瘫有哪些高危因素：
一、胎儿宫内慢性缺氧
胎儿期缺血、缺氧是小儿脑瘫重要的危险因素之一。如：妊娠高血压综合征、子痫、重度贫血、各种心、肺、肝、肾疾患、糖尿病以及并种感染等疾病影响胎盘血流灌注均有可能导致胎儿宫内慢性缺氧。
二、急性胎儿宫内缺氧
主要是指在分娩过程中发生的急性缺氧所致的新生儿窒息。常见的原因有产力异常;脐带异常 (脐带过长或过短、打结、缠绕、脱垂、扭曲以及脐带附着异常等 )，胎盘附着异常如前置胎盘，以及难产、急产、异位产、异常先露、内倒转术、产钳、胎吸助产、头盆小称以及催产索、止痛药与麻醉药物使用不妥等，都可能引发小儿脑瘫。
三、早产儿、低出生体重儿以及双胎或多胎儿等
新生儿缺氧缺血性脑病、惊厥、外伤、颅内出血、呼吸窘迫综合征、高胆红索血症、低血糖症、吸入性肿炎、败血症、脑膜炎等感染性疾病以及胎儿的心、肺发育异常所致的新生儿期呼吸障碍等均与小儿脑瘫相关。
了解了小儿脑瘫的高危因素，才能预防小儿脑瘫，减小发病率。当然有小儿脑瘫患儿，一定要及时的接受科学干预。
随着近年来医学水平的提高，出现了一种采用重复性经颅磁刺激技术所研发而成的择思达斯经颅磁刺激仪适用于小儿脑瘫。
它的原理主要是利用脉冲磁场作用于中枢神经(主要是大脑)在刺激部位产生感应电流，改变皮层神经细胞的膜电位，影响脑内代谢和神经电活动，从而引起一系列生理生化反应。
rTMS经颅磁刺激克服了电流不能进入颅脑的缺陷
颅骨是不导电的生物体。采用传统的电刺激方法电流无法进入到颅内，电流就无法刺激到大脑。而电磁具备了与生物组织磁导率基本一致的特点、磁力线容易穿透颅骨到达脑内较深层组织，电磁作用在脑细胞上生成感应电流，在适当加大电流的情况下，电场可改变细胞自身的膜电位，促使细胞轴突发生变化，通过重复rTMS的刺激，对大脑神经元和相关功能进行改变。
