MOSFET综合测试系统技术指标
1 栅极-源极电压VGSS及漏电流IGSS
电压VGS：-20V-20V 误差±3%±0.2V
电流IGSSmicro;A误差±3%±0.01µA
漏极电压：VDS=0V
2 漏极-源极电压VDSS及电流IDSS
漏极电压VDSS：0-150V 误差±3%
漏极电流IDSS：0.1µA-10mA 误差±5%±0.1µA
栅极电压VGS=0V
3 栅极-源极阀值电压VGS(th)
VGS(thV 误差±3%±0.1V
显示栅极-源极阈值电压VGS(th)
VDS= VGS
漏极电流ID：0.1-2mA 误差±3%
4 RDS（on）/IDM
RDS（on）：0~2mΩ
栅极电压VGS：10V 误差±2%±0.2V
漏极电流IDA误差±3%
漏极冲击电流IDMA 误差±3%
5 二极管压降测试VF/ISM
VF：0.1-5V 误差±3%±0.01V
栅极电压VGS：0V
电流IFA误差±3%
反向冲击电流ISMA 误差±3%
6 热敏电阻R
R：0~10K
7 开关时间测试条件
ØID：50A～900A
ØVDS：0V～50V
ØVGS：0V～＋20V±3%±0.1V
ØRg：5R、10R可选择
l负载：感性负载、阻性负载
l电感范围：20µH、50µH、100µH、200µH
l电阻范围：0.05R
8 MOSFET开关特性测试参数
Ø开通延迟td(on)：20ns-10μs
20ns～99ns±3%±1ns；
100ns～999ns±3%±5ns；
1000ns～10μs±3%±10ns。
Ø上升时间tr：20ns-10μs
20ns～99ns±3%±1ns；
100ns～999ns±3%±5ns；
1000ns～10μs±3%±10ns。
Ø关断延迟时间td(off)：20ns-10μs
20ns～99ns±3%±1ns；
100ns～999μs±3%±5ns；
1000ns～10μs±3%±10ns。
Ø下降时间tf：20ns-10μs
20ns～99ns±3%±1ns；
100ns～999ns±3%±5ns；
1000ns～10μs±3%±10ns。
9 二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件：
Ø正向电流IF：50A～900A
Ø反向电压Vr：0V～50V
负载：感性负载可选
电感范围：20μH、50μH、100μH、200μH
FRD测试参数：
Ø反向恢复时间trr：20ns～2μs
20ns～99ns±3%±1ns；
100ns～999ns±3%±5ns；
1000ns～2μs±3%±10ns。
Ø反向恢复电荷Qc：10nC～10μC
10nC～100nC±3%±2nC；
100nC～1000nC±3%±10nC；
1μC～10μC±3%±50nC。
Ø反向恢复电流峰值Irm
10 栅极电荷测试
测试条件：
Ø集电极电流ID：0A～900A
Ø集电极电压VDS：0V～50V
Ø栅极电压VGS：0V～+20V±2%±0.1V
Ø负载：感性、阻性负载
Ø电感范围：20μH、50μH、100μH、200μH
Ø电阻范围：0.05R
Ø测试参数Qg：20nC～20μC
20nC～100nC±5%±10nC；
100nC～1000nC±5%±20nC；
1μC～10μC±5%±50nC；
10μC～20μC±5%±100nC。
11 雪崩测试
l电源电压：20-200V
l雪崩能量：实测
l雪崩电流：1A-200A
l电感：30uH、100uH、200uH
l电压波形：方波
l脉冲宽度：100μS-800mS
l测试频率：单次/重复
12 控制方式及夹具说明
控制方式：计算机控制；
数据采集方式：计算机采集；
测试结果显示方式：计算机显示；
计算机显示测试结果并可记录测试数据，测试记录表格按照用户提供的格式进行编写，器件编号输入方式手动输入；
本系统采用研华计算机进行时序控制、数据采集、数据显示等，测试系统具有人性化的操作界面，操作者可对测试条件等参数进行设置并保存，并可对测试数据进行存储，为了对测试结果进行统计和分析，记录数据可转为Excel表格格式。
夹具加热功能：
温度控制精度范围：75～150℃；
75℃-125℃±1.0℃；
125℃-150℃±1.5℃。
设备出厂时含一套测试夹具及适配器两个，后续添加适配器另行协商。
