SIC器件MOSFET测试仪(西安易恩电气)

  • 发布时间:2022-09-27 14:39:46,加入时间:2016年05月09日(距今3308天)
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1 测试范围

该套测试设备主要可测试以下参数:适用于电流不超过3500A、电压不超过150V的MOSFET静态参数、电流不超过900A、电压不超过50V的MOSFET开关时间、栅极电荷、雪崩耐量以及二极管反向恢复特性的测试。

2. 测试原理简介

该测试台通过电容充放电原理产生电流波形,测试时根据不同的测试条件,设定好测试电压,再通过调节不同的电感值和选择不同的测试脉冲宽度来输出测试要求的电流值,测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机通过以太网通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理计算后,将测试数据以表格形式显示并可进行编辑和打印。

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