工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 220nF;X7R:150pF to330uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
MLCC 制作工艺流程：
1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)；
2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)；
3、配料——各种配料按照一定比例混合；
4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状；
5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，保证表面平整)；
6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证，不同MLCC的尺寸由该工艺保证)；
7、叠层——将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来，形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的)；
8、层压——使多层的坯体版能够结合紧密；
9、切割——将坯体版切割成单体的坯体；
10、排胶——将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除；
11、焙烧——用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间，如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂)；
12、倒角——将长方体的棱角磨掉，并且将电极露出来，形成倒角陶瓷颗粒；
13、封端——将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极，并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的)；
14、烧端——将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密；形成陶瓷电容初体；
15、镀镍——将陶瓷电容初体电极端(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层，镍层一定要完全覆盖电极端铜或银，形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生相互渗透，导致电容老衰)；
16、镀锡——在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料，镀锡工艺决定电容的可焊性)；
17、测试——该流程必测的四个指标：耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值，电容的精确度等)
专业生产供应无线充电器电源专用高频NPO或COG谐振滤波贴片电容，价格绝对优势。
规格主要有：
TDK电容C3216COG1H104J NPO 50V 0.1UF 5%
TDK电容C3216COG1H473J NPO 50V 0.047UF 47NF 5%
TDK电容C3216C0G1H683J NP0 50V 68NF 5%精度
TDK电容C4532COG2A104J NPO 100V 0.1UF 5%
TDK电容C4532C0G2A683J NPO 100V 0.068UF 5%
TDK电容C4532COG2A473J NPO 100V 0.047UF 47NF 5%
TDK电容C3225C0G1H104J NP0 50V 0.1UF 100nf 5%精度
TDK电容c3225c0g2a683j npo 100v 68nf 5%精度
TDK电容C3225COG2A104J NPO 100V 100NF 5%精度
TDK电容C3225COG2A473J NPO 100V 47NF 5%精度
车载级TDK高频电容CGA5F2C0G2A562J COG 100V 5.6NF 5%精度
TDK贴片电容C3225C0G2A333J NPO 100V 0.033UF 5%精度
TDK片式电容C4532C0G2J223J NPO 630V 22NF 5%精度
以上都是NPO材质 +/-5%精度，高频贴片电容，适用于高频消振，温度补偿电容
