简述：
本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏
电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，
如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和
光纤传输中的中继放大器等产品；
集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，集电极电流：IC=70mA,集电
极耗散功率：PC=300mW，特征频率：fT=9GHz；
采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 和 SOT143R 表
面贴塑封。
2. 封装形式和引脚定义：
型号(Model) BFG520 BFG520/X BFG520/XR
封装形式(Package) SOT143B SOT143B SOT143R
本体激光标示(Marking) WMA WMM WMP
引脚(Pin)1 collector collector collector
引脚(Pin)2 base emitter emitter
引脚(Pin)3 emitter base base
引脚(Pin)4 emitter emitter emitter
3. 极限参数（Tamb=25℃）：
参数名称 符号 额定值 单位
集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V
集电极-发射极击穿电压 BVCEO 15 V
发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V
集电极电流 IC 70 mA
耗散功率 PT 300 mW
结温 TJ 150 ℃
储存温度 Tstg -65～+150 ℃
