在具有使电子器件等的进行了精细加工的电子电路的装置的制造 中，光刻工序中使用的光刻胶材料中，有通过曝光可溶解的正型、和通过 曝光不溶解的负型两种。作为一例，在半导体器件、平板显示器(FPD) 基板等的制造中，由于反复进行这样的光刻过程，所以主要使用正型光刻 胶。
作为正型光刻胶的显影液材料，能举出：由磷酸钠、苛性钠、硅酸钠、 或者它们与其它无机碱等的混合物构成的无机碱水溶液。另外，在担心碱 金属污染的情况下，可使用不含有金属的胺系列的有机碱水溶液、氢氧化 四甲胺(TMAH)水溶液、氢氧化三甲基单乙醇胺(胆碱)水溶液等。后 者多半使用2.38％浓度的TMAH水溶液。
另外，由这些材料调制的显影液被大量地用于喷射方式、旋涂方式、或 浸渍方式等的显影装置中。
为了在显影工序中对光刻胶用的显影液进行调合，以获得高分辨率、构 图地清晰度(锐敏度)、稳定性及高合格率，必须严格地管理显影液的成 分及浓度。
特别是近年来伴随构图的高密度化，要求构图宽度的微细化。例如，在 半导体基板上要求0.1微米级的线宽，在平板显示器基板上要求1微米级 的线宽，在多层印刷基板上要求10微米级的线宽。另外，为了利用低温多 晶硅TFT技术，在平板显示器基板上安装半导体电路，已经要求1微米以 下的线宽。
与此相应地，为了降低光刻胶的实际灵敏度的偏差，强烈地希望提高显 影液浓度的精度。例如，作为显影液浓度的管理范围，要求在规定浓度的 ±1/1000以内。特别是在TMAH水溶液的情况下，要求在规定浓度的±更具体地说，2.380±0.001重量％)以内。
而且，为了消除构图缺陷，要求在1ml显影液中，0.1微米以上的颗粒 (微粒子)在10个以下的颗粒非常少的显影液。
另外，近年来由于基板的大型化、批量生产化，显影液的用量越发增加。
这样，在与期望提高显影液浓度的精度、以及无颗粒的同时，强烈地希 望能适应大量制造及低成本化。
可是，迄今在半导体器件等的制造厂中，对于调整了显影液的成分及浓 度后再使用，不仅从设备及运转成本方面来看，而且从充分地管理成分及 浓度的观点看，都是非常困难的。
因此，在半导体器件等的制造厂(以下称“使用方”)中，不得不使用 在专门的显影液制造厂(以下称“供应方”)处调整了成分及浓度的显影 液。
在此情况下，在供应方采用这样的方法：用纯水稀释已调合成规定的成 分的显影原液，将调整成所希望的浓度的显影液填充在容器中，将这样的 调制好的显影液供给使用方。
这时，显影原液的稀释倍率因液体成分、原液浓度、作为显影对象的正 型光刻胶等的种类、以及使用目的等的不同而不同，通常为8～40倍左右。 因此，供应方调制的显影液的量对应于稀释倍率而大幅度地增大，将该显 影液输送到使用方用的容器的准备、往容器中的填充作业、以及输送成本 都增大了。其结果，存在这些费用在显影液成本中占了很大比例的问题。
另外，在使用方使用供应方调制的显影液之前，需要与输送及保管相应 的期间，存在在该期间显影液劣化的问题。
另外，由于显影液容易吸收空气中的二氧化碳，所以，在使用方即使设 置稀释装置，也存在在稀释操作中或稀释后的显影液储存过程中由于吸收 二氧化碳而引起浓度变化的问题。这也是举出的在半导体器件制造厂等使 用方不进行显影液的稀释的理由之一
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