化学气相沉积设备报价 NRP-4000 反应离子刻蚀（RIE）/等离子增强化学气相沉积（PEVCD）双系统一体机 一、NRP-4000系统应用： 该系统是我们专门为R&D环境提供的一种更经济有效的双功能方案(RIE/PECVD)用于不同的应用，替代购买两套独立的系统。双系统一体机可以极大的节省实验室的空间和成本。该系统通过共用涡轮分子泵组以及两个腔体之间的门阀，还有计算机控制系统，以及有些部分的MFC等核心组件的共用，节省成本。用户可通过计算机控制软件选择RIE或PECVD,用户针对应用在不同的腔体中放置相应的样片即可通过计算机软件控制并自动完成整个工艺。 此双系统设备支持所有的RIE刻蚀应用和PECVD沉积应用。 二、NRP-4000双系统概述： 在PECVD一侧我们可以沉积非晶硅、氧化硅和氮化硅，在RIE一侧可以刻蚀氧化硅和氮化硅（当然可以根据使用不同的工艺气体达到不同的应用）。 在RIE一侧具有一些独特的性能：基于PC计算机全自动的工艺控制而确保优越的可重复性，并且独特的样品台冷却技术防止RF射频泄漏，从而不会产生业内其它系统所发生的那样自偏压的下降和偏离。 过去的设计中PECVD一侧的14“不锈钢立方腔体。最近，我们已经改变腔体的设计为13”阳极氧化铝腔体（如RIE腔体），这是我们更新的设计并且减少了淋浴头等离子源和样品台之间的间距，并在晶圆上取得了的均匀度。请参考附上的工艺数据。在数据中可以看到我们可以在200度左右的温度下沉积氧化硅和氮化硅。我们为反应气体提供了气体环，使得生长的薄膜具有更出色的化学计量比。 在RIE一侧，我们也可以提供额外的离子源-淋浴头RF等离子源用于等离子各向同性刻蚀。系统也具备RF电源从等离子源切换到RIE端用于各向异性刻蚀的能力。另外额外的选项也可以被加入到系统中，比如ICP离子源，可以实现高速率的刻蚀和沉积，也可以在PECVD侧增加低频模块用于控制氮化物薄膜的应力，等等。 三、NRP-4000系统产品特点： PECVD部分： - 带气体环的等离子源 - 13”圆柱形铝质，气动升降顶盖，便于从顶部放片/取片 - 6”样品台，加热到400oC，PID控温，可以处理到6”或以下的晶圆片 - 4个MFC（5%SiH4/Ar, N2O, NH3, He，可增加）并从RIE端共享Ar和O2 ,工艺结束后N2自动吹扫 - 双真空计配置，MKS Baratron工艺真空计及Edwards广域真空计 RIE部分： - 淋浴头均匀的气体分布 - 13”圆柱形铝质，气动升降顶盖，便于从顶部放片/取片 - 6”偏压阳极氧化铝样品台，带暗区保护，循环冷却水冷却 - 4个MFC（CF4，C4F8，O2，Ar，可增加）,工艺结束后N2自动吹扫 - N2卸压的MFC气体保护箱，带独立气荚 - 双真空计配置，MKS Baratron工艺真空计及Edwards广域真空计 共同部分： - 独立式不锈钢立柜系统，占地面积28”L x 42”W x 44”H - 带Lab View软件的触摸屏计算机全自动的工艺控制 - 600W RF离子源电源带自动调谐器，用于RIE样品台和PECVD等离子源，自动切换 - 2个6”门阀用于隔离腔体 - 抽速为260l/sec的普法HiPace300涡轮分子泵，串接
