碳化硅分立器件IGBT,MOS晶闸管图示仪

  • 发布时间:2022-09-27 14:39:40,加入时间:2016年05月09日(距今3307天)
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测试范围 / 测试参数

序号

测试器件

测试参数

01

绝缘栅双极大功率晶体管

IGBT

ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;

VGEON;VF;GFS

02

MOS场效应管 

MOS-FET

IDSS;IDSV;IGSSF;  IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;

VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS

03

J型场效应管

J-FET

IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;

IDSS;GFS;VGSOFF

04

二极管

DIODE

IR;BVR ;VF

05

晶体管

(NPN型/PNP型)

ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;

BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF

06

双向可控硅

TRIAC

VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-

07

可控硅

SCR

IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;

IGT;VGT;IL;IH

08

硅触发可控硅

STS

IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;

VPK-;VGSW+;VGSW-

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