主要技术指标：
设备技术指标要求如下：
1、开关时间：
漏极电压测试范围：5V-1200V分辨率1V；
漏极电流测试范围：1A-200A，分辨率1A；
栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；
栅极电流：2A；
脉冲电流：200A；
电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，
100V-1200V，步进1.0V。
脉冲宽度：0.1us-10us,步进0.1us；
时间测试精度：1ns；
感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10uH；
阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，备用三个电阻，以便使用时选择。
2、栅极电荷
驱动电流：0-2mA 分辨率0.01mA，
2-20mA 分辨率0.1mA；
栅极电压：±30V，分辨率0.1V；
恒流源负载：1-25A，分辨率0.1A，
25-200A，分辨率1A；
漏极电压：5-100V，步进0.1V，
V，步进1.0V。
3、反向恢复
正向电流：1A-25A，分辨率0.1A，
25A-200A，分辨率1A；
反向电压：5v-100V，步进0.1V，
100V-1200V，步进1.0v；
反向恢复时间范围：10ns-2µs；
反向恢复电荷范围：1nC-100µC；
反向di/dt：1-10kA/us；
反向dv/dt：1-10kV/us。
4、反偏安全工作区
400A(2倍额定电流下，测试期间关断电压、电流)。
5、短路安全工作区
一次短路电流1000A；
脉冲宽度5us-10us，步进1us。
6、结电容
电容测试扫频范围：0.1MHz～4MHz；
漏源极电压：200V，分辨率1V。
7、栅极电阻
栅极电阻范围： 0.1～50ohm；分辨率0.1Ω；
漏极偏置电压： 0～1200V；
栅极偏置： ±20V。
8、雪崩耐量
雪崩击穿电压≥2000V；
雪崩电流：200A；
感性负载：0.01mH～100mH连续可调，步进10μH；
可测试单次雪崩、重复雪崩。
9、杂散电感
设备内部杂散电感小于100nH。
10、加热装置
温度调节范围：室温-150℃，分辨率0.1℃；
温度可控，控制精度±1℃；
加热板隔离电压大于3kV；
11、操作系统
机箱：4U 15槽上架式机箱；
CPU： INTEL双核；
主板：研华SIMB；
硬盘：500G；内存4G；
集成VGA显示接口、4个PCI接口、2个串口、6个USB接口等；
欧姆龙PLC逻辑控制。
12、数据采集
示波器：带宽不低于500MHz，采样率不低于2.5Gs/s；
高压探头：满足动态参数测试需求；
电流探头：满足动态参数测试需求；
状态监测：NI数据采集卡；
上位机：基于Labview人机界面；
13、可调充电电压源
用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流、反偏安全工作区的测试需求。充电电源覆盖5V~1200V电压。
输入电压 220V±10%
频率 50HZ；
输出电压 5～1200V可调（可多个电源组成）
输出电流 10A；
电压控制精度 1%
电压调整率 <0.1%；
纹波电压 <1%；
工作温度 室温～40℃；
保护 有过压、过流、短路保护功能。
