3V升5v 2A 3.7V 升 12v 1A 5V 升 12v 1.5A 12V 升 24v 3.5A
5V升9V/1A 5V 升 12V/800mA 8.4V 升 12V/2A 12V 升 19V/3A
12V升24V 升 36V 升 48V 升 60V 24V升28V 5V升12V 3V升9V 升 12V 升压芯片
MC 13 10 80v-12V输入升降压ic 12V 升 24V 升降压 ic 车充升降压芯片
10V-24V转12V 2A 输出 低压升压 3V 升 5V /2A 3V 升 12V 升 24V 升 36V 升 60V
大电流降压芯片 MC1310 外置MOS管降压芯片 80V 转 75V 转 60V 转 48V 转 36V 转 24V 转 12V
MC 13 10 为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。
广泛应：
LCD Panel背光、通讯设备
移动电源、医疗设备、车载电源
应充电器、电动车系统供电
其基本特性如下：
1. 提供高**度参考电压源: 0.5V(+/-2%)
2. Totem Pole 输出PWM 信号，用以直接推动 NMOS
3. 宽工作电压范围：3.6V-15V
4. 宽工作频率范围：50KHz~1MHz
5. 欠压IC 栓锁功能 (UVLO)
6. **PWM DTC 限制： 75%
7. 软开机及短路保护功能 (Soft-Start amp;am SCP)
8. 省电功能 (Shutdow Mode)
9. TSSOP-8L封装
