广州广电计量可以做AEC-Q-100认证报告,AEC-Q-101认证报告,AEC-Q-102认证报告, AEC-Q-104认证报告，AEC-Q-200认证报告，元器件筛选，破坏性物理分析，NVH测试，AQG324认证，LV324认证。
广电计是由广州无线电集团的内部校准实验室改制发展而来,始建于1964年,90年代以前主要为企业内部主业配套服务.为了更好地拥抱市场、实现发展,2002年5月注册成立公司,重点转向市场开展-化服务.十多年来,广电计量不断改革创新,走出来一条快速发展之路,公司的经营状况发生了翻天覆地的变化,逐步成长为计量检测行业的知名品牌,一家国有控股的第三方计量检测机构.
广电计量失效分析实验室功率器件技术团队，拥有丰富的功率半导体器件检测，器件可靠性测试，以及可靠性测试设备设计制造的经验，可为您提供电学参数检测，可靠性测试，失效分析及定制化服务。
适用于MOSFET，Diode，IGBT，第三代半导体器件等元件构成的功率模块。
测试项目：
TST，V，MS，PCsec，PCmin，HTS，LTS，HTRB，HTGB，H3TRB，Lp，Rth，
测试标准：
IEC 60749-25，DIN EN 60068-2-6，DIN EN 60068-2-27，IEC 60749-34，IEC 60749-34，IEC 60749-6，JEDEC JESD-22 A119，IEC 60747-9，IEC 60747-9，IEC 60749-5，IEC 60747-15，DIN EN 60747-15
静态参数：
Drain to Source Breakdown Voltage，Drain Leakage Current，Gate Leakage Current，Gate Threshold Voltage，Drain to Source On Resistance，Drain to Source On Voltage，Body Diode Forward Voltage，Internal Gate Resistance，Input capacitance，Output capacitance，Reverse transfer capacitance，Transconductance，Gate to Source Plateau Voltage
动态参数：
Turn-on delay time，Rise time，Turn-off delay time，Fall time，Turn-on energy，Turn-off energy，Diode reverse recovery time，Diode reverse recovery charge，Diode peak reverse recovery current，Diode peak rate of fall of reverse recovery current，Total gate charge，Gate-Emitter charge，Gate-Collector charge
其他参数：
thermal resistance，Unclamped Inductive Switching，Reverse biased safe operating area，Short circuit safe operation area
