伯东KRI 考夫曼离子源KDC用于离子束抛光工艺 离子束抛光工艺是利用离子溅射原理, 通过在真空状态下离子源引束产生等离子体能量束流, 束流轰击工件表面产生原子级别的材料去除从而实现光学元件的高精度加工. 离子束抛光工艺加工精度和表面质量高离子束加工是靠微观力效应,被加工表面层不产生热量, 不引起机械应力和损伤, 离子束抛光加工精度可达mm级. 因此离子束抛光加工已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 而离子源是离子束抛光机的核心部件. 离子源是使中性原子或分子电离, 并从中引出离子束流的装置. 它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器、离子束抛光机等设备的不可缺少的部件. 在离子束抛光机中, 离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 ( IBF Optical coating ) 及晶体硅片离子束抛光机 ( IBF Clrystalline ) 工艺.考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 伯东KRI 考夫曼离子源用于离子束抛光工艺 KRI 离子源用于离子束抛光实际案例一: 1. 基材: 100 mm 光学镜片 2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ). 离子束抛光前平坦度影像呈现图 离子束抛光后平坦度影像呈现图 KRI 离子源用于离子束抛光实际案例二: 1. 基材: 300 mm 晶体硅片 2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 ) 离子束抛光前平坦度影像呈现图 离子束抛光后平坦度影像呈现图 KRI 离子源实际安装案例一: KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机 KRI 离子源实际安装案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号: 型号 KDC 10 KDC 40 KDC 75 KDC 100 KDC 160 电压 DC magnetic confinement - 阴极灯丝 1 1 2 2 2 - 阳极电压 0-100V DC 电子束 电子束 - 栅极 专用,自对准 - 栅极直径 1 cm 4 cm 7.5 cm 12 cm 16 cm 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域. 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理. ！