在进行镀膜等工艺之前, 对原样品的表面平整度/洁净程度等参数会有不同的要求. 对于不达标的样品需要进行前处理, KRI霍尔离子源可以很好的解决这类的问题. 应用KRI霍尔离子源可以在低功耗的情况下进行大电流的工作, 很好的处理样品的清洁度/和平整度; 可以根据不同的工艺要求来控制样品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 达到清洗前处理的作用. 稳定工艺并提高产品产量. KRI离子源清洗在在真空室中进行, 基板表面清洁后可以立即沉积, 短停留时间暴露于真空背景清洁并活化基材表面比辉光放电更清洁, 生产率更高; 无需基板偏置/无需高压, 消除了大多数腔室壁的溅射, 没有额外的抽空, 很好地提高了整体工艺的效率与质量. 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司客户选用KRI EH1000型霍尔离子源组装磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理. 离子源清洗样品的示意图： KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性: • 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极 • 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率 • 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷 • 高效的等离子转换和稳定的功率控制 KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数: 型号 eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO 供电 DC magnetic confinement - 电压 40-300V VDC - 离子源直径 ~ 5 cm - 阳极结构 模块化 电源控制 eHx-30010A 配置 - - 阴极中和器 Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 > 45° (hwhm) - 阳极 标准或 Grooved - 水冷 前板水冷 - 底座 移动或快接法兰 - 高度 4.0' - 直径 5.7' - 加工材料 金属 电介质 半导体 - 工艺气体 Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离 10-36” - 自动控制 控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder 上海伯东是美国 考夫曼离子源在中国的总代理商. 上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 我们真诚期待与您的合作！
