PW2301A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2301A是一颗P沟道的MOS管
A1SHB是PW2301A芯片，低导通内阻：RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5V
PW2301A的VDS = -20V, ID = -3A
PW2301A采用SPT23-3L的环保材质封装。
MOSFET管产品
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产品 |
MOSFET型 |
封装 |
VDS值 |
VGS值 |
ID值 TA=25℃ |
RDS（on）值 ( < 小于值 ) |
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PW2301A |
P |
SOT23-3 |
-20V |
±12V |
-3A
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≤ 32mΩ （ID=-3A，VGS=-4.5V） |
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PW2302A |
N |
SOT23-3 |
20V |
±12V |
3.2A
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≤ 32mΩ （ID=3A，VGS=4.5V）
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PW2305 |
P |
SOT23-3 |
-20V |
±12V |
-4.9A
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≤ 38mΩ （ID=-4.9A，VGS=-4.5V）
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PW2307 |
P |
SOT23-3 |
-20V |
±12V |
-7A
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≤ 21mΩ （ID=-4A，VGS=-4.5V）
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PW3400A |
N |
SOT23-3 |
30V |
±12V |
5.8A
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≤ 28mΩ （ID=5.8A，VGS=10V）
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PW3401A |
P |
SOT23-3 |
-30V |
±12V |
-4.2A
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≤ 55mΩ （ID=-4A，VGS=-10V）
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PW3407 |
P |
SOT23-3 |
-30V |
±20V |
-4.2A
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≤ 65mΩ （ID=-3A，VGS=-10V）
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PW8205 |
N+N |
SOT23-6 |
20V |
±12V |
6A
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≤24mΩ （ID=6A，VGS=4.5V）
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PW8205A |
N+N |
TSSOP8 |
20V |
±12V |
6A
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≤ 27mΩ （ID=4.5A，VGS=4.5V）
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