供应无锡平芯微PW3400A场效应管MOS

  • 发布时间:2020-07-22 13:54:08,加入时间:2020年07月16日(距今1817天)
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PW3400A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。

PW3400A具有比PW2302A更高的ID电流值,和更高的VDS耐压

PW3400A基本参数:VDS = 30V, ID =5.8A,RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V

PW3400A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。

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