一、概述
该套测试设备主要由以下几个单元组成：
Ø 开关特性测试单元
Ø 反向恢复测试单元
Ø 栅极电荷测试单元
Ø 安全工作区测试系统
Ø 结电容测试单元
Ø 栅极内阻测试单元
Ø 雪崩耐量测试单元
二、技术条件
2.1、功能范围：
可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。
2.2、环境要求
1、环境温度：15—40℃
2、相对湿度：存放湿度不大于70%
3、大气压力：86Kpa—106Kpa
4、电网电压：AC220V±10%无严重谐波
5、电网频率：50Hz±1Hz
6、电源功率：20KW
7、供电电网功率因数：＞0.9
8、气源要求：≥0.6Mpa
9、无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。
