一般说明
PW3467采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极充电和低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=30V ID=67A RDS（开）<5.5mΩ@VGS=10V 提供8针DFN3*3封装
绝对极大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
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参数 |
符号 |
评级 |
单位 |
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漏源极电压 |
VDS |
30 |
V |
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栅源电压 |
VGS |
±20 |
V |
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持续漏电流，VGS@10V（注1） |
ID@TC=25℃ |
70 |
A |
|
持续漏电流，VGS@10V（注1） |
ID@TC=100℃ |
51 |
A |
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持续漏电流，VGS@10V（注1） |
ID@TA=25℃ |
15 |
A |
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持续漏电流，VGS@10V（注1） |
ID@TA=70℃ |
12 |
A |
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脉冲漏电流（注2） |
IDM |
160 |
A |
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总功耗（注3） |
PD @TC=25℃ |
59 |
W |
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总功耗（注3） |
PD @TA=25℃ |
2 |
W |
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储存温度范围 |
TSTG |
-55至150 |
℃ |
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工作结温范围 |
TJ |
-55至155 |
℃ |
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单脉冲雪崩能量（注4） |
EAS |
115.2 |
mJ |
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雪崩电流 |
IAS |
48 |
A |
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热电阻接线盒（注1） |
RθJC |
2.1 |
℃/W |
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热电阻结环境（注1） |
RθJA |
62 |
℃/W |
注意
1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
2、 测试数据由脉冲，脉冲宽度。EAS数据显示极大额定值。
3、 其功耗受175℃结温的限制
4、 试验条件为V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=53.8A
5、 数据理论上与ID和IDM相同，在实际应用中，应受到总功耗的限制
